买卖IC网 >> 产品目录 >> GA06JT12-247 MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

GA06JT12-247

库存数量：可订货
制造商：GeneSiC Semiconductor
描述：MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
GA06JT12-247 PDF下载
制造商 GeneSiC Semiconductor
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压
闸/源击穿电压
漏极连续电流 6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 220 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-247AB
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 GA06JT12-247
GA07SHT12-220
GA080TH65
GA080TH65-227SP
GA08JT17-247
GA100-001PD
供应商
公司名
电话
深圳市琦凌凯科技有限公司 13316482149 彭先生
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
无锡固电半导体股份有限公司 15961889159 张小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
深圳市华芯盛世科技有限公司 0755-23941632 朱先生/李小姐
深圳市新良宇电子有限公司 0755-83237632 李先生
深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
深圳市科视通电子科技有限公司 15807673644 刘先生 陈小姐 黄小姐
深圳市深美诺电子科技有限公司 82525918 李燕兵
朱培 18356208742 朱培
  • GA06JT12-247 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价